Позволяет производить измерение :
- сопротивления ;
- индуктивности;
- омическое сопротивление индуктивности;
- емкости конденсатора ;
- определяет параметры диодов, двойных диодов:
* измерение падения напряжения на диоде
* измерение паразитной емкости диода
* распиновку;
* характеристики светодиодов;
- определяет параметры транзисторов:
* тип (NPN, PNP, N-P channel MOSFET JFET)
* измерение коэффициента передачи тока базы биполярного транзисторов
* определение напряжения насыщения биполярного транзистора
* измерение емкости затвора полевого транзистора
* определение напряжения открытия полевого транзистора
* отображает наличие защитного диода;
* распиновку;
- определяет распиновку тиристоров, симисторов;
