1)) Автоматическое определение N-P-N и P-N-P биполярных транзисторов, N- и P-канальных
MOSFET транзисторов, JFET транзисторов, диодов, двойных диодов, тиристоров и симисторов.
Для тиристоров и симисторов уровень открытия должен быть досягаем для
тестера. Для IGBT транзисторов сигнал 5 Москва, м. Волгоградский проспект. Эдуард
